k2611场效应管参数

场效应管(FET)是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。FET英文为FieldEffectTransistor，简写成FET。

1.场效体管(FieldEffectTransistor缩写(FET))简称场效应管5261要有两种类4102型(junctionFET-JFET)和-氧化物1653半导体场效应管(metal-oxidesemiconductorFET，简称MOS-FET)。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(10~10Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

2.场效应晶体管于1925年由JuliusEdgarLilienfeld和于1934年由OskarHeil分别发明，但是实用的器件一直到1952年才被制造出来（结型场效应管）。1960年DawanKahng发明了金属氧化物半导体场效应晶体管，从而大部分代替了JFET，对电子行业的发展有着深远的意义。

3.2E3CNMOSGDS开关600V11A150W0.36,2SJ117PMOSGDS音频功放开关400V2A40W,2SJ118PMOSGDS高速功放开关140V8A100W50/70nS0.5,2SJ122PMOSGDS高速功放开关60V10A50W60/100nS0.15,2SJ136PMOSGDS高速功放开关60V12A40W70/165nS0.3,2SJ143PMOSGDS功放开60V16A35W90/180nS0.032SJ172PMOSGDS激励60V10A40W73/275nS0.18.